一、描述

这种功率MOSFET是使用SL semi的先进平面条纹DMOS技术生产的。

这种先进的技术是专门定制的，以zui小化对态电阻，提供优越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合低电压应用，如DC/DC转换器和便携式和电池操作产品的电源管理的开关。

二、特性

4.0A, 650V, RDS(on) = 3.0?@vgs = 10 v

低栅电荷(典型15nC)

高强度

快速切换

提高dv/dt能力