一、特性

? 低待机电流 (小于 0.1uA)

? 低导通内阻 MOSFET 功率开关管

— 采用 MOS 工艺设计功率管

— 1 通道 1.6A 功率管内阻 0.4 欧姆

— 2 通道 1.6A 功率管内阻 0.4 欧姆

? 较小的输入电流

— 集成约 15K 对地下拉电阻

— 3V 驱动信号平均 200uA 输入电流

? 内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)

? 抗静电等级：4KV (HBM)

二、应用范围

? 2-4 节 AA/AAA 干电池供电的玩具马达驱动

? 2-5 节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱动

? 1-2 节锂电池供电的马达驱动

三、概述

该产品采用 H 桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET，工作电压范围覆盖 2V 到 8.6V。27℃，VDD=6.5V，两个通道同时工作的条件下，1 通道zui大持续输出电流达到 1.3A，zui大峰值输出电流达到 3A；2 通道大持续输出电流达到1.3A，zui大峰值输出电流达到3A。

该电路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对功率管进行控制。