低压MOS管 3400 SOT-23

手机快充MOS管 3400的特点：

• V_DS=30V

• I_D=6.2A

• R_DS(ON)＜28mΩ@V_GS=10V

• 封装：SOT-23

手机快充MOS管 3400的应用领域：

• 锂电池保护

• 手机快充
  

手机快充MOS管 3400的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：30V

• 栅极-源极电压 V_GS：±12V

• 漏极电流-连续 I_D：6.2A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：20A

• 总耗散功率 P_D：1W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

• 结到环境的热阻 R_θJA：125℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：85℃/W

手机快充MOS管 3400的电特性：

(如无特殊说明，T_C=25℃)