国产可控硅替换 MCR100-8 SOT-23-3L

国产可控硅替换 MCR100-8的产品特征：

• PNPN 四层结构的硅单向器件

• 门极灵敏触发

• P 型对通扩散隔离

• 台面玻璃钝化工艺

• 背面多层金属电极

• 符合 RoHS 规范

• 封装形式：SOT-23-3L
  

国产可控硅替换 MCR100-8的应用领域：

        MCR100-8的单向可控硅应用于：脉冲点火器、负离子发生器、逻辑电路驱动、彩灯控制器、漏电保护器、吸尘器软启动等等。

国产可控硅替换 MCR100-8的极限值(T_CASE=25℃)：

• 断态重复峰值电压 V_DRM/V_RRM：600/800V

• 通泰平均电流 I_T(AV)：0.5A

• 通态均方根电流 I_T(RMS)：0.8A

• 通态不重复浪涌电流 I_TSM：8A

• I²t值：0.32A²s

• 通态电流临界上升率 dI_T/dt：50A/μs

• 门极峰值电流 I_GM：0.2A

• 门极峰值功率 P_GM：0.5W

• 门极平均功率 P_G(AV)：0.1W

• 存储温度 T_STG：-40~+150℃

• 工作结温 T_j：-40~+110℃

国产可控硅替换 MCR100-8的电特性：