三象限双向可控硅 T1635的应用：
加热控制器
马达调速控制器
搅拌机
直发器
面包机等家用电器
三象限双向可控硅 T1635的特点：
NPNPN 五层结构的硅双向器件
P 型对通扩散隔离
台面玻璃钝化工艺
背面多层金属电极
工作结温高，换向能力强
高电压变化率 dV/dt
大电流变化率 dI/dt
符合RoHS规范
三象限双向可控硅 T1635的极限参数：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDRM/VRRM | 断态重复峰值电压 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通态均方根电流 | 16 | A |
| ITSM | 通态不重复浪涌电流 | 160 | A |
| I2t | I2t值 | 144 | A2s |
| dIT/dt | 通态电流临界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 门极峰值电流 | 4 | A |
| PG(AV) | 门极平均功率 | 1 | W |
| TSTG | 存储温度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作温度 | -40~+125 | ℃ |
三象限双向可控硅 T1635的电特性：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| IGT | 门极触发电流 | ≤35 | mA |
| VGT | 门极触发电压 | ≤1.3 | V |
| VGD | 门极不触发电压 | ≥0.2 | V |
| IH | 维持电流 | ≤35 | mA |
| IL | 维持电流 I-III | ≤50 | mA |
| 维持电流 II | ≤60 | mA | |
| dVD/dt | 断态电压临界上升率 | ≥500 | V/μs |
| VTM | 通态压降 | ≤1.55 | V |
| IDRM/IRRM | 断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | ≤5 | μA |
断态重复峰值电流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | ≤1 | mA |
三象限双向可控硅 T1635的封装外形尺寸：
冀公网安备13010402003046号