低内阻N沟道MOS管 4N10的引脚图：
低内阻N沟道MOS管 4N10的特点：
VDS=100V
ID=3.8A
RDS(ON)＜240mΩ@VGS=10V
封装：SOT-23-3L
低内阻N沟道MOS管 4N10的应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
低内阻N沟道MOS管 4N10的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | 3.8 | A |
| 漏极电流-连续 TC=100℃ | 2 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 8 | |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 3.76 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 70 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 30 |
低内阻N沟道MOS管 4N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=1A | 210 | 240 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=0.5A | 240 | 280 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.9 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=100V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=80V,VGS=0V,TJ=125℃ | 10 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 2.3 | S | ||
| Qg | 栅极总电荷 | 9 | 18 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.3 | 4.6 | ||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.1 | 2.5 | ||
| Ciss | 输入电容 | 152 | 200 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 17 | 20 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 10 | 15 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 5.2 | 10 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 6.8 | 12 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 14.5 | 28 | ||
| tf | 开启下降时间 | 2.1 | 5 |
低内阻N沟道MOS管 4N10的封装外形尺寸：
冀公网安备13010402003046号