输入关键词搜索
发送询价 找产品首页 找产品分类 切换频道

150V/4A NMOSFET 4N15 SOT-23-3L

2024-05-17 16:20
价格 面议
发货 广东东莞市
品牌 宇芯微
产品类型 中低压MOS管
产品型号 4N15
产品封装 SOT-23-3L
产品详情


NMOSFET 4N15的应用领域：



NMOSFET 4N15的极限参数：

(如无特殊说明，TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压150
V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续4A
IDM漏极电流-脉冲9
PD总耗散功率2W
RθJA
结到环境的热阻125℃/W
RθJC结到管壳的热阻80
TSTG存储温度-55~150℃
TJ工作结温-55~150



NMOSFET 4N15的电特性：

(如无特殊说明，TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压150165
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=1.5A


220280mΩ
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=1.5A


230300
VGS(th)
栅极开启电压11.83V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
8
nC
Qgs栅源电荷密度

1.4
Qgd栅漏电荷密度
2.1
Ciss输入电容
235
pF
Coss输出电容
36
Crss反向传输电容
20
td(on)开启延迟时间
8
ns
tr开启上升时间

10


td(off)关断延迟时间
20
tf
开启下降时间
15


联系方式