
一、描述
这种功率MOSFET是使用SL semi的先进平面条纹DMOS技术生产的。
这种先进的技术是专门定制的,以zui小化对态电阻,提供优越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合低电压应用,如DC/DC转换器和便携式和电池操作产品的电源管理的开关。
二、特性
4.0A, 650V, RDS(on) = 3.0?@vgs = 10 v
低栅电荷(典型15nC)
高强度
快速切换
提高dv/dt能力

| 价格 | ¥9.00 |
| 发货 | 广东深圳市付款后3天内 |
| 品牌 | 迅瑞创芯 |
| 产品品牌 | 迅瑞 |
| 产品型号 | SI4N65 |
| 产品封装 | T0-220F |

一、描述
这种功率MOSFET是使用SL semi的先进平面条纹DMOS技术生产的。
这种先进的技术是专门定制的,以zui小化对态电阻,提供优越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合低电压应用,如DC/DC转换器和便携式和电池操作产品的电源管理的开关。
二、特性
4.0A, 650V, RDS(on) = 3.0?@vgs = 10 v
低栅电荷(典型15nC)
高强度
快速切换
提高dv/dt能力
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