
一、描述
SI4N60是一种高压MOSFET,设计具有更好的特性,如快速开关时间,低栅电荷,低通态电阻和具有高坚固的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于电源的高速开关应用,pwm电机控制,直流到直流转换器和桥接电路。
二、特性
RDS() = 2.5Ω@VGS = 10 v
超低门电荷(平均15.0nC)
低反向传输电容(CRSS=typica8.0pF)
快速切换能力
改进的dv/dt能力,高耐用性

| 价格 | ¥9.00 |
| 发货 | 广东深圳市付款后3天内 |
| 品牌 | 迅瑞创芯 |
| 产品品牌 | 迅瑞 |
| 产品型号 | SI4N60 |
| 产品封装 | T0-251 T0-252 T0-220F |

一、描述
SI4N60是一种高压MOSFET,设计具有更好的特性,如快速开关时间,低栅电荷,低通态电阻和具有高坚固的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于电源的高速开关应用,pwm电机控制,直流到直流转换器和桥接电路。
二、特性
RDS() = 2.5Ω@VGS = 10 v
超低门电荷(平均15.0nC)
低反向传输电容(CRSS=typica8.0pF)
快速切换能力
改进的dv/dt能力,高耐用性
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