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存储电路 24C04 串行EEPROM存储器

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    宇芯微

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  • 地址:

    广东东莞市

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详情描述


24C04的描述:

        24C04是一个电可擦除PROM,采用512 X 8(4K bits)的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V,待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。24C04具有页写能力,每页为16字节。24C04具有DIP-8和SOP-8 两种封装形式。



24C04的特点:

  • 宽范围的工作电压 1.8V~5.5V

  • 低电压技术

        1mA典型工作电流

        1μA典型待机电流

  • 存储器组织结构:512 X 8(4K bits)

  • 2线串行接口,完全兼容I2C总线

  • I2C时钟频率为1MHz(5V),400kHz(1.8V、2.5V、2.7V)

  • 施密特触发输入噪声抑制

  • 硬件数据写保护

  • 内部写周期(zui大5ms)

  • 可按字节写

  • 页写:16字节页

  • 可按字节,随机和序列读

  • 自动递增地址

  • ESD保护大于2.5kV

  • 高可靠性

        擦写寿命:100万次

        数据保持时间:100年

  • 封装形式:DIP-8、SOP-8

  • 无铅工艺,符合RoHS标准



24C04的极限值:

参数符号数值单位
直流供电电压VCC-0.3~+6.5V
直流输入电压VIN-0.3~VCC+0.3
直流输出电压VOUT-0.3~VCC+0.3
存储温度TSTG-65~+150
ESD电压(人体模型)
VESD2500V
ESD电压(机器模型)200



24C04的直流电气特性:

条件:TA=0℃~+70℃,VCC=+1.8V~+5.5V,除非另有注释

参数符号测试条件zui小值典型值zui大值单位
供电电流ICCVCC=5V,100kHz 读
0.41mA
VCC=5V,100kHz 写
23
待机电流ISBVIN=VCC或GND

1μA
输入漏电流
ILIVIN=VCC或GND

3
输出漏电流ILOVOUT=VCC或GND
0.053
输入低电平电压
VIL
-0.6
VCC x 0.3V
输入高电平电压VIH
VCC x 0.7
VCC+ 0.5
输出低电平电压VOL3VCC=5V,IOL=3mA

0.4
VOL2VCC=3V,IOL=2.1mA

0.4
VOL1VCC=1.8V,IOL=0.15mA

0.2


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发货 广东东莞市
品牌 宇芯微
产品类型 存储芯片
产品型号 24C04
产品封装 DIP-8/SOP-8
过期 长期有效
更新 2024-05-16 17:19
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