| 主要特性与技术指标 |
| 适合功率器件表征的综合解决方案，高达 1500 A 和 10 kV |
| 中等电流测量和高电压偏置（例如，500 mA，1200 V） |
| μΩ 导通电阻测量功能 |
| 高电压偏置时，可进行 sub-pA 电平电流测量 |
| 在 -50 ℃ 至 +250 ℃ 温度范围内进行全自动热测试 |
| 广泛的器件测量功能 |
| 可在高达 3000 V 直流偏置时执行全自动电容测量（Ciss、Coss、Crss 等） |
| 10 μs 高功率脉冲测量 |
| 封装器件和晶圆上 IGBT/FET 栅极电荷测量 |
| 高电压/强电流快速切换选件，适用于 GaN 电流崩塌效应表征 |
| 多达 5 个高电压（3 kV）电源/测量通道，提供大的灵活性 |
| 改进的测量效率 |
| 在高电压和强电流测量之间自动切换，无需重新布线 |
| 自动测试电路形成，可用于封装器件和晶圆上器件的晶体管结电容（Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds 等）测量 |
| 具有互锁机制的标准测试夹具，可进行封装功率器件测试 |
| 支持高达 200 A 和 10 kV 的高功率晶圆上测试 |
| 示波器视图支持对应用电压和电流波形的验证 |
| MS Windows EasyEXPERT 软件简化了数据管理和分析流程 |
| 可升级和可扩展的硬件体系结构 |
| 广泛的测量模块选择 |
| 支持具有高达 6 个连接引脚的高功率器件 |
冀公网安备13010402003046号
