激光分子束外延 Laser MBE

产品信息

激光 MBE 是普遍采用的术语，该法是一种纳米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的 PLD 与在线工艺监测的反射高能电子衍射（RHEED）的联合应用，为用户提供了类似于 MBE 的薄膜生长的单分子水平控制。

• 高压 RHEED 用于原位薄膜生长控制。

• 提供原子级薄膜生长控制生长模式控制。（例如：通过 RHEED 振荡实现的 2D 生长模式）。

• RHEED 是一种衍射技术。从屏上产生的衍射图样中，可以实时地破译结构信息。

• 厚度和沉积速率信息。

• 薄膜衬底界面的应力其它结构缺陷可检测。

• 这些信息对于各种纳米结构的高质量外延薄膜生长至关重要。

技术参数

• zui 大束流电压：30 KeV。

• 两组磁线圈，用于衬底平面内和垂直于衬底平面的束流运动。

• 双差动泵（氧气的兼容性高达 500 mTorr ）。

• 配有光阀的凹形 RHEED 屏。

• 12 位 CCD 相机。

• K-space 数据采集和软件。

• 与 PLD 系统完全集成。